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產(chǎn)品中心
產(chǎn)品名稱:

UV 400 測溫儀

描述:UV 400 測溫儀用于GaN基外延的晶圓表面溫度和反射率真實(shí)測量,溫度范圍650…1300℃
訪問次數(shù): 1594
更新時(shí)間: 2024-04-23

產(chǎn)品介紹

UV 400 測溫儀詳細(xì)說明

UV 400的前身TR 2100是*采用集成反射計(jì)(2001年)的高溫計(jì),為使用光纖鏡頭和950 nm激光實(shí)時(shí)測量發(fā)射率建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)寶石光管傳感器和實(shí)時(shí)的黑體校準(zhǔn)源取得的研究進(jìn)展提供了完整的溫度測量解決方案。

UV 400和UVR 400系統(tǒng)是專門為GaN基MOCVD外延工藝開發(fā)的下一代溫度傳感器。這些傳感器可以直接測量晶圓表面溫度,而非傳統(tǒng)的基座溫度。UVR 400較UV 400 增加了一個(gè)635 nm,0.5 kHz測量速度的反射率測量儀,可測量沉積厚度.

這些系統(tǒng)正在為 LED 生產(chǎn)過程設(shè)定一個(gè)新的標(biāo)準(zhǔn),其結(jié)果顯示工藝溫度和終產(chǎn)品波長之間存在可靠的相關(guān)性.這種直接測量的方法可以更精確地控制晶片溫度,從而提高成品率

主要特點(diǎn)

  • 使用紫外波段直接測量GaN層溫度;

  • 使用脈沖光源實(shí)時(shí)快速測量發(fā)射率;

  • 使用真正的光計(jì)數(shù)儀器將測量中的噪聲降至低;

  • 防止由于延遲采樣(無快門打開和關(guān)閉)而造成的數(shù)據(jù)偏差

  • 測溫范圍:650 至 1300℃

  • 重復(fù)精度 0.01 °C (see TN-828)

     

典型應(yīng)用

  • GaN 基 MOCVD 外延工藝

 

技術(shù)指標(biāo)

測量參數(shù)

溫度范圍:

650 至 1300°C

子溫度區(qū)間:

溫度范圍內(nèi)任意可調(diào),小跨度 51°C

響應(yīng)波長:

383 至 410 nm

探測器:

光電倍增管, 暗計(jì)數(shù)范圍小于原始值的 1% @ 650°C

兩次測量之間的等待時(shí)間:

少于 1 μs

分辨率:

軟件顯示0.1℃;
模擬輸出不超過設(shè)定范圍的 0.025%

發(fā)射率 ε:

0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001

透射率 τ:

0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001

積分時(shí)間;

少8ms

測量不確定度:
(ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C)

小于 1000°C, 3°C;
大于 1000°C, 0.3%;

重復(fù)性:
(ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C)
0.1% 或 0.1°C
電參數(shù)
功耗:   大5W
負(fù)載(模擬輸出): 0 至 500 ?
隔離: 電源,模擬輸出,數(shù)字接口彼此隔離
環(huán)境參數(shù)
防護(hù)等級: IP 40  IEC 60529
真空和氣體: 設(shè)備可承受氮?dú)夂驼婵眨ǖ陀?0 mbar),外殼有氣孔
安裝位置: 任意
環(huán)境溫度: 10 至 38 °C
存儲溫度: -20 至 50 °C
相對濕度: 非凝露
重量: 2.5 kg
外殼:  發(fā)黑氧化鋁 
CE 認(rèn)證: 根據(jù)歐盟有關(guān)電磁抗擾度的指令
接口   

模擬輸出:

0 到 20 mA 或 4 到 20 mA, 線性

數(shù)字輸出: RS485可尋址(半雙工)
波特率:1200 至 38400
大值存儲: 內(nèi)置單存儲器或雙存儲器
tclear 可調(diào)(off; 0.01 s; 0.05 s; 0.25 s; 1 s; 5 s; 25 s),
反射率測試(僅 UVR400)
測試范圍: 0 至 100%
速率: 1000 Hz
光源: 激光二極管
測量波長 635 nm ±5 nm
測量不確定度: 測量范圍的 2%
重復(fù)精度: 測量范圍的 5%
晶圓片允許傾斜公差: 0.3°
鏡頭工作距離 a: 100mm
模擬輸出: 0到20 mA 或 4到20 mA ;可切換
負(fù)載: 0 到 500 Ohm

UV 400 測溫儀

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